制造商: IXYS 
产品种类: MOSFET模块   
技术: Si 
安装风格: Screw Mount 
封装 / 箱体: SOT-227-4 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 300 V 
Id-连续漏极电流: 138 A 
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 890 W 
系列: IXFN170N30 
配置: Single 
下降时间: 16 ns 
高度: 12.22 mm 
长度: 38.23 mm 
产品类型: MOSFET Modules 
上升时间: 29 ns 
子类别: Discrete and Power Modules 
商标名: HiPerFET 
类型: Polar Power MOSFET HiPerFET 
典型关闭延迟时间: 79 ns 
典型接通延迟时间: 41 ns 
宽度: 25.42 mm 
单位重量: 30 g